IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of OE Operation (1)
OE
t OE
t OHZ
t OLZ
DATA Out
Q
Q
,
5282 drw 11
NOTE:
1. A read operation is assumed to be in progress.
Ordering Information
IDT
XXXX
Device
Type
XX
Power
XX
Speed
XX
Package
X
X
Process/
Temperature
Range
Blank Commercial (0°C to +70°C)
I Industrial (-40°C to +85°C)
G
Restricted Hazardous Substance Device
PF**
BG
BQ
75*
80
85
S
SA
100-Pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
Access time (t CD ) in tenths of nanoseconds
Standard Power
Standard Power with JTAG Interface
,
IDT71V3557 128Kx36 Flow-Through ZBT SRAM with 3.3V I/O
IDT71V3559 256Kx18 Flow-Through ZBT SRAM with 3.3V I/O
*C om m ercial tem perature range only.
5282 drw 12
** JTA G (S A version) is not available with 100-pin TQFP package
27
6.42
相关PDF资料
IDT71V35761YSA200BGI IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
IDT71V3577S75BQG IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
IDT71V3578S150PFGI IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP
IDT71V416L10PHGI IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
IDT71V424S10YGI IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
IDT71V432S5PFGI IC SRAM 1MBIT 5NS 100TQFP
IDT71V546S133PFGI IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP
IDT71V547S80PFGI IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP
相关代理商/技术参数
IDT71V3559S85PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559S85PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559S85PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V3559S85PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V3559S85PFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559S85PFI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559SA75BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559SA75BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040